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2011-2012 Microchip Technology Inc.
Preliminary
DS41579C-page 375
PIC16(L)F1782/3
30.5
Memory Programming Requirements
DC CHARACTERISTICS
Standard Operating Conditions (unless otherwise stated)
Operating temperature -40°C
TA +125°C
Param
No.
Sym.
Characteristic
Min.
Typ
Max.
Units
Conditions
Program Memory
Programming Specifications
D110
VIHH
Voltage on MCLR/VPP/RE3 pin
8.0
—
9.0
V
(Note 3)
D111
IDDP
Supply Current during
Programming
——
10
mA
D112
VDD for Bulk Erase
2.7
—
VDDMAX
V
D113
VPEW
VDD for Write or Row Erase
VDDMIN
—VDDMAX
V
D114
IPPPGM Current on MCLR/VPP during
Erase/Write
——
1.0
mA
D115
IDDPGM Current on VDD during Erase/Write
—
5.0
mA
Data EEPROM Memory
D116
ED
Byte Endurance
100K
—
—E/W
-40
C to +85C
D117
VDRW
VDD for Read/Write
VDDMIN
—VDDMAX
V
D118
TDEW
Erase/Write Cycle Time
—
4.0
5.0
ms
D119
TRETD Characteristic Retention
—
40
—
Year Provided no other
specifications are violated
D120
TREF
Number of Total Erase/Write
Cycles before Refresh(2)
100k
—
E/W
-40°C to +85°C
Program Flash Memory
D121
EP
Cell Endurance
10K
—
—E/W
-40
C to +85C (Note 1)
D122
VPR
VDD for Read
VDDMIN
—VDDMAX
V
D123
TIW
Self-timed Write Cycle Time
—
2
2.5
ms
D124
TRETD Characteristic Retention
—
40
—
Year Provided no other
specifications are violated
Data in “Typ” column is at 3.0V, 25°C unless otherwise stated. These parameters are for design guidance
only and are not tested.
Note 1:
Self-write and Block Erase.
2:
Refer to Section 12.2 “Using the Data EEPROM” for a more detailed discussion on data EEPROM
endurance.
3:
Required only if single-supply programming is disabled.
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